ČSN EN 60749-44 (358799)

The category - similar standards:

Semiconductor devices in general

Annotation of standard text ČSN EN 60749-44 (358799):

Tato norma stanovuje postup pro měření efektu samostatné události (SEE) pro integrované obvody s vysokou hustotou integrace, zahrnuje zachování dat pro součástky s pamětí, pokud jsou vystaveny atmosférickému neutronovému záření, které produkuje kosmické záření. U metody efektu samostatné události se měří citlivost, přičemž je součástka ozářena neutronovým svazkem o známém toku. Tato zkušební metoda je použitelná pro kterýkoliv typ integrovaného obvodu.

POZNÁMKA 1: Polovodičové součástky, na které působí vysoké napěťové namáhání, mohou být vystaveny samostatné události zahrnující samostatný efekt vyhoření (SEB) a samostatný efekt prasknutí hradla (SEGR). Pro subjekt, který není uveden v tomto dokumentu prosím nahlédněte do IEC 62396-4 [2].

POZNÁMKA 2: Navíc působením neutronů o vysoké energii mohou některé součástky vykazovat měkkou chybu v důsledku tepelných neutronů s nízkou energií (<1 eV). Pro subjekt, který není uveden v tomto dokumentu prosím nahlédněte do IEC 62396-5 [3]