ČSN EN IEC 63373 (358766)

The category - similar standards:

Other semiconductor devices

Annotation of standard text ČSN EN IEC 63373 (358766):

Obecně je zkoušení dynamického elektrického odporu v sepnutém stavu měřítkem jevů zachycování náboje ve výkonových tranzistorech GaN. Tato norma poskytuje návod pro zkoušení dynamického odporu v sepnutém stavu laterálních výkonových tranzistorů GaN. Zkušební metody lze použít pro následující případy:

• a) diskrétní výkonové součástky GaN v obohaceném a ochuzeném režimu [3];
• b) GaN v integrovaných výkonových řešeních;
• c) výše uvedené na úrovni desky nebo pouzdra.

Předepsané zkušební metody lze použít pro stanovení charakteristik součástek, výrobní zkoušky, hodnocení spolehlivosti a posouzení aplikací GaN součástek pro výkonové měniče. Tato norma se nezabývá příslušnými mechanismy dynamického elektrického odporu v sepnutém stavu a jeho symbolické reprezentace pro specifikace výrobků